Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 19

Работа: Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon

  1. Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

    Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко +3

    Статья2019Цитирований: 3
    ABI
  2. Diffusion in Silicon - 10 Years of Research

    David J. Fisher

    Книга1997Цитирований: 3
    ABI
  3. Minority-charge-carrier mobility at low injection level in semiconductors

    L. I. Pomortseva

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI
  4. Diffusion of phosphorus in arsenic and boron doped silicon

    Fred Wittel, Scott T. Dunham

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI
  5. Redistribution of phosphorus implanted into silicon doped heavily with boron

    E. G. Tishkovskiǐ, V.I. Obodnikov, A. A. Taskin +2

    Статья2000Цитирований: 2
    ABI
  6. A model of high-and low-temperature phosphorus diffusion in silicon by a dual pair mechanism

    О. В. Александров

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI
  7. Diffusion of boron and phosphorus in silicon during high-temperature ion implantation

    G. V. Gadiyak

    Статья1997Цитирований: 2
    ABI
  8. Solar photovoltaics: current state and trends

    Valentin A. Milichko, Aleksandr S. Shalin, Ivan S. Mukhin +5

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI