← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 19
Работа: Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon
Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко +3
Статья2019Цитирований: 3ABIMinority-charge-carrier mobility at low injection level in semiconductors
Статья2011Цитирований: 2ABIRedistribution of phosphorus implanted into silicon doped heavily with boron
E. G. Tishkovskiǐ, V.I. Obodnikov, A. A. Taskin +2
Статья2000Цитирований: 2ABIDiffusion of boron and phosphorus in silicon during high-temperature ion implantation
Статья1997Цитирований: 2ABISolar photovoltaics: current state and trends
Valentin A. Milichko, Aleksandr S. Shalin, Ivan S. Mukhin +5
Статья2016Цитирований: 2ABI