Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 29

Работа: Features of Liquid–Phase Epitaxy of (InSb)_1–z(Sn2)_z Solid Solutions of Molecular Substitution on GaAs and GaP Substrates

1. Growth of (InSb)1 − x (Sn2) x films on GaAs substrates by liquid-phase epitaxy

   А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +1

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2010Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.262319

2. Structural Studies of the Epitaxial Layer of a Substitutional Solid Solution (GaAs)_1−<i>x</i>(ZnSe)_<i>x</i> with Nanocrystals

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, D. V. Saparov

   СтатьяQuantum Dots Synthesis And PropertiesAdvances in Materials Science and Engineering2019Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.373302

3. CRC Handbook of Chemistry and Physics

   William M. Haynes

   Книга2016Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.043911

4. Recombination in semiconductors with deep impurities

   A. Yu. Leĭderman, V. G. Stel’makh, М. Ф. Садыков

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesApplied Solar Energy2008Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000139

5. 3.2 μm infrared resonant cavity light emitting diode

   E. Hadji, J. Bleuse, N. Magnéa +1

   Статья1995Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.523054

6. Active solar energy material science thermoelectric properties of nGe-p(InSb)1 − x (Sn2) x heterostructures

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova

   СтатьяAdvanced Thermoelectric Materials and DevicesApplied Solar Energy2010Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2010.article.000164

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640275

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640253

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640254

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640255

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640256

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640257

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640258

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640259

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640260

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640261

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640262

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640263

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640264

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640265

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640266

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640267

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640268

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640269

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.640270