Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 3

Работа: Electric voltage redistribution effect in Schottky barrier structures based on Si<P,Ni> under hydrostatic pressure

1. Advanced Universal Hydrostatic Pressure Device with Pneumatic Amplifier for the Investigation of the Electrical and Thermal Properties of Semiconductors under Hydrostatic Pressure

   Р. Х. Хамидов, О. О. Маматкаримов

   СтатьяHigh-pressure geophysics and materialsInstruments and Experimental Techniques2022Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000422

2. Dynamic strain-sensitive characteristics of the Schottky-barrier diodes under a pulsed uniform pressure

   О. О. Маматкаримов, С. З. Зайнабидинов, Azizbek Abduraimov +2

   СтатьяElectromagnetic Launch and Propulsion TechnologySemiconductors2000Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2000.article.000081

3. Tensoresistive effects in tin-doped silicon under static and dynamic pressure conditions

   О. О. Маматкаримов, Р. Х. Хамидов

   СтатьяForce Microscopy Techniques and ApplicationsTechnical Physics Letters2003Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000115