Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: Structural Features of the Epitaxial Layer of the (GaAs)<sub>1−</sub><i><sub>y</sub></i><sub>−</sub><i><sub>z</sub></i>(Ge<sub>2</sub>)<i><sub>y</sub></i>(ZnSe)<i><sub>z</sub></i> Solid Solution Grown from a Bismuth Solution Melt

1. Structural and some electrophysical properties of the solid solutions Si1 − x Sn x (0 ≤ x ≤ 0.04)

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, M. U. Kalanov +2

   СтатьяAdvanced Surface Polishing TechniquesPhysics of the Solid State2013Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000105

2. Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy

   Sh. N. Usmonov, А. С. Саидов, A. Yu. Leyderman +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2009Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.400552

3. Growth of Ge1 − x Sn x solid solution films and study of their structural properties and some of their photoelectric properties

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, U. P. Asatova

   СтатьяPhotonic and Optical DevicesSemiconductors2012Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.506192

4. Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase

   A. Sh. Razzokov, А. С. Саидов, B. Allabergenov +3

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Crystal Growth2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002347

5. Single crystal preparation and properties of the AgGaGeS4–AgGaGe3Se8 solid solution

   М. В. Шевчук, Victor V. Atuchin∥⊥, A.V. Kityk +5

   Статья2010Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.388011

6. Low Leakage-Current InAsSb Nanowire Photodetectors on Silicon

   Michael D. Thompson, Aiyeshah Alhodaib, Adam P. Craig +7

   Статья2015Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.388015

7. Band-gap tailoring and visible-light-driven photocatalytic performance of porous (GaN)_1−x(ZnO)_xsolid solution

   Aimin Wu, Jing Li, Baodan Liu +6

   Статья2017Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.434559

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724779

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724780

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724781

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724782

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724783

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724784

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724785

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724786

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724787

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724788

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724789

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724790

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724791

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724792

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724793

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724794

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724795

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.724796