Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 28

Работа: Formation of (Si2)1-x(GaP)x gradient composition solid solutions during growth from a tin solution-melt

1. Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge₂)y(ZnSe)z and their photoelectric properties

   А. С. Саидов, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +2

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsInternational Journal of Modern Physics B2022Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000686

2. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures

   А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports2022Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000489

3. MBE growth of GaP on a Si substrate

   M. S. Sobolev, А. А. Лазаренко, E. V. Nikitina +3

   Статья2015Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.373295

4. Features of growing Si- and Si_1-<i>x</i>Ge_<i>x</i>-single-crystal films from solution-melt based on tin

   A. Sh. Razzokov, А. С. Саидов, V. V. Gіrzhon +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceJournal of Physical Studies2022Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000838

5. Studies of the crystal structure of solid solutions (Sn2)1−x−y(GaAs)x(ZnSe)y, (GaAs)1−x(ZnSe)x grown from liquid phase

   A. Sh. Razzokov, А. С. Саидов, B. Allabergenov +3

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Crystal Growth2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002347

6. Structural and Spectroscopic Studies of Epitaxial GaAs Layers Grown on Compliant Substrates Based on a Superstructure Layer and Protoporous Silicon

   П. В. Середин, D. L. Goloshchapov, Yu. Yu. Khudyakov +5

   Статья2021Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.373304

7. Optimal Regime for Growth of Epitaxial Germanium Layers from the Liquid Phase Based on Thermodynamic Calculations

   A. Sh. Razzokov, Khushnudbek Eshchanov

   СтатьяPhotonic and Optical DevicesInternational Journal of Thermodynamics2022Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.001741

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778806

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778807

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778808

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778809

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778810

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778811

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778812

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778813

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778814

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778815

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778816

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778817

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778818

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778819

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778820

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778821

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778822

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.778823