Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Effect of Gate Oxide and Back Oxide Materials on Self-Heating Effect in FinFET

  1. Physical origin of negative differential resistance in SOI transistors

    Liam McDaid, Steven Hall, Phil Mellor +2

    Статья1989Цитирований: 5
    ABI
  2. Self-Consistent Simulation of Heating Effects in Nanoscale Devices

    Dragica Vasileska, Stephen M. Goodnick, Katerina Raleva

    Статья2009Цитирований: 3
    ABI
  3. Multi-gate SOI MOSFETs

    J.-P. Colinge

    Статья2007Цитирований: 2
    ABI
  4. Impact of the Self-Heating Effect on Nanosheet Field Effect Transistor Performance

    Billel Smaani, Neha Paras, Shiromani Balmukund Rahi +3

    Статья2023Цитирований: 2
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI