Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 26

Работа: Influence of palladium doping and proton irradiation on oxygen stability and optical properties of n-type silicon

1. Influence of Different Types of Radiation on the Crystal Structure of Silicon Monocrystals n-Si

   Sharifa B. Utamuradova, Dilmurod A. Rakhmanov, A.S. Abiyev

   Статья2024Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439484

2. First-principles study of radiation defects in silicon

   Vladislav Pelenitsyn, Pavel Korotaev

   Статья2022Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.712519

3. Raman Spectroscopy of Gamma-Irradiated Silicon Doped with Rhodium

   Sharifa B. Utamuradova, Shakhrukh Kh. Daliev, Dilmurod A. Rakhmanov +2

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEast European Journal of Physics2025Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.001212

4. INFLUENCE OF ALPHA PARTICLES ON TECHNOLOGICAL IMPURITIES IN SILICON DOPED WITH PLATINUM

   Sharifa B. Utamuradova

   Статья2025Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.863454

5. Investigation of Sensitive Thermal Sensors Based on Si<Pt> and Si<Pd>

   Sharifa B. Utamuradova, Dilmurod A. Rakhmanov, A.S. Abiyev

   СтатьяGas Sensing Nanomaterials and SensorsEast European Journal of Physics2024Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.002166

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.948436

7. Impedance spectra of rhodium-doped silicon irradiated with alpha particles

   Sharifa B. Utamuradova, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich +3

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesRadiation Physics and Chemistry2026Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.article.010369

8. Study of the Formation of Radiation Defects in Irradiated Silicon Samples, Doped with Chromium Atoms

   Sh.I. Nabiyev, Kh.N. Bozorov, A. Nasritdinov +8

   СтатьяMuon and positron interactions and applicationsEast European Journal of Physics2026Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.article.011376

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.279521

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.692008

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.863441

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.939551

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.939552

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.939553

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090000

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090001

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090002

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090003

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090004

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090005

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090006

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090007

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090008

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090009

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.1090010