Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Transport Properties

1. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

   T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 21

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.079743

2. Structure and Thermoelectric Properties of β-FeSi2 Doped with Cobalt

   F. Yu. Solomkin, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко +5

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.008222

3. Structure and thermoelectric properties of β-FeSi<sub>2</sub> doped with cobalt

   F. Yu. Solomkin, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко +5

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesПоверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.009268