← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 11
Работа: Features of the Properties of the Surface of (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y Semiconductor Solid Solution with ZnSe Quantum Dots
X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals
I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3
Статья2010Цитирований: 9ABIEffect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence
A. Kosarev, V. V. Chaldyshev, В. В. Преображенский +2
Статья2016Цитирований: 3ABIHigh-density InSb-based quantum dots emitting in the mid-infrared
Vittorianna Tasco, N. Deguffroy, А. Н. Баранов +5
Статья2006Цитирований: 3ABIQuantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy
Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev
Статья2016Цитирований: 3ABINew system of self-assembled GaSb/GaP quantum dots
D. S. Abramkin, М. А. Putyato, А. К. Гутаковский +3
Статья2012Цитирований: 2ABI