Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Component Technologies for Ultra-High-Voltage 4H-SiC pin Diode

1. Fast Switching 4<i>H</i>-SiC<i> P-i-n</i> Structures Fabricated by Low Temperature Diffusion of Al

   I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, V. A. Pak

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesAdvances in Condensed Matter Physics2017Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390748

2. Spectral Dependence of Optical Absorption of 4<i>H</i>-SiC Doped with Boron and Aluminum

   I. G. Atabaev, Kh. N. Juraev, M. U. Hajiev

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesJournal of Spectroscopy2018Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2018.article.000197