Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 11

Работа: Possibility of obtaining the (GaSb)1 − x (Si2) x films on silicon substrates by the method of liquid-phase epitaxy

1. Physics of Semiconductor Devices

   J.-P. Colinge, Cindy Colinge

   Книга2002Цитирований: 58

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199260

2. Constitution of Binary Alloys

   Max Hansen, K. Anderko, H. W. Salzberg

   Статья1958Цитирований: 26

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369423

3. Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1−x(ZnSe)x

   А. С. Саидов, A. Sh. Razzakov, V.A. Risaeva +1

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsMaterials Chemistry and Physics2001Цитирований: 25

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369422

4. Physics of Semiconductor Devices

   Geoffrey Pridham

   Статья1970Цитирований: 19

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390558

5. On the theory of sublinear current-voltage characteristics of semiconductor structures

   A. Yu. Leĭderman, P. M. Karageorgy‐Alkalaev

   Статья1978Цитирований: 12

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.369424

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.506194

7. Mechanism of charge transfer in n-CdS/p-CdTe heterostructures with a thick layer of the CdTe1 − x S x solid solution

   Kh. Kh. Ismoilov, A. M. Abdugafurov, Ш. А. Мирсагатов +1

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2008Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200865

8. Preparation of GaSb substrates for GaSb and GaInAsSb growth by organometallic vapor phase epitaxy

   C.A Wang, D.A. Shiau, Ann Lin

   Статья2003Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527810

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527809

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527811

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527812