← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 14
Работа: Photoelectric Characteristics of the Heterojunction n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y
Structural Peculiarities of the (ZnSe)1 – x – y(Ge2)x(GaAs1 – δBiδ)y Solid Solution with Various Nanoinclusions
С. З. Зайнабидинов, Sharifa B. Utamuradova, Akramjon Y. Boboev
СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2022Цитирований: 4ABIEffect of a low-temperature-grown GaAs layer on InAs quantum-dot photoluminescence
A. Kosarev, V. V. Chaldyshev, В. В. Преображенский +2
Статья2016Цитирований: 3ABI