Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Photoelectric Characteristics of the Heterojunction n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

  1. Epitaxial growth of ZnSe on GaAs with the use of the ZnSe compound as the source

    Sergey P. Suprun, V. N. Sherstyakova, E. V. Fedosenko

    Статья2009Цитирований: 4
    ABI
  2. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI