Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Effect of Co+-ion implantation on the composition and properties of free Si–Cu nanofilm structures

1. Structure and electronic properties of nanoscale phases and nanofilms of metal silicides produced by ion implantation in combination with annealing

   Kh. Kh. Boltaev, Д. А. Ташмухамедова, Б. Е. Умирзаков

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2014Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.196457

2. Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si-Me free nanofilm systems

   Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, М. К. Рузибаева +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2015Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.495098

3. Ion Implantation

   H. Ryssel

   Книга1973Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.351368

4. Depth profiles of metal ions implanted in dielectrics at low energies

   А. Л. Степанов, В. А. Жихарев, И. Б. Хайбуллин

   Статья2001Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.158193

5. Energy distribution of metal and noble gas ions traversing single-crystal copper films

   З. А. Исаханов

   СтатьяIon-surface interactions and analysisTechnical Physics2012Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.531187