Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 30

Работа: Contribution to the Physical Modelling of Single Charged Defects Causing the Random Telegraph Noise in Junctionless FinFET

1. Scaling of Trigate Junctionless Nanowire MOSFET With Gate Length Down to 13 nm

   Sylvain Barraud, Matthieu Berthomé, R. Coquand +7

   Статья2012Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386763

2. Implementation of the Density Gradient Quantum Corrections for 3-D Simulations of Multigate Nanoscaled Transistors

   Antonio J. García‐Loureiro, Natalia Seoane, M. Aldegunde +4

   Статья2011Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.397911

3. Quantum corrections in the simulation of decanano MOSFETs

   Asen Asenov, A. R. Brown, J.R. Watling

   Статья2003Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.532704

4. Single-trap-induced random telegraph noise for FinFET, Si/Ge Nanowire FET, Tunnel FET, SRAM and logic circuits

   Ming-Long Fan, Shao‐Yu Yang, Vita Pi‐Ho Hu +3

   Статья2014Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.570277

5. Large random telegraph noise in sub-threshold operation of nano-scale nMOSFETs

   J. P. Campbell, Lihua Yu, Kin P. Cheung +4

   Статья2009Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.397912

6. Performance estimation of junctionless multigate transistors

   Chi‐Woo Lee, Isabelle Ferain, Aryan Afzalian +4

   Статья2009Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.428824

7. RTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices

   Louis Gerrer, Salvatore Amoroso, Razaidi Hussin +1

   Статья2014Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.570275

8. A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability

   Ben Kaczer, J. Franco, Pieter Weckx +11

   Статья2018Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573068

9. Cascade Capture of Electrons in Solids

   M. Lax

   Статья1960Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357589

10. Semiconductor Surface Physics

    Robert H. Kingston

    Книга1957Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573055

11. Random telegraph signal amplitudes in sub 100 nm (decanano) MOSFETs: a 3D 'Atomistic' simulation study

    Asen Asenov, R. Balasubramaniam, A. R. Brown +2

    Статья2002Цитирований: 2

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573066

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573054

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573056

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573057

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573058

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573059

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573060

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573061

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573062

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573063

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573064

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573065

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573067

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573069

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.573070