Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Electrical Behavior of Group III and V Implanted Dopants in Silicon

1. Diffusion of yittrium in silicon

   D. É. Nazyrov, Muratali Bazarbaev, A. A. Iminov

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSemiconductors2006Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2006.article.000223

2. Gettering of gold by samarium and gadolinium in silicon

   D. É. Nazyrov

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2007Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2007.article.000159

3. Diffusion, solubility, and electrical properties of scandium and praseodymium in silicon

   С. З. Зайнабидинов, D. É. Nazyrov

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesRussian Physics Journal2007Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2007.article.000218