Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. On the Formation of Silicide Films of Metals (Li, Cs, Rb, and Ba) During Ion Implantation in Si and Subsequent Thermal Annealing

   А.С. Рысбаев, M. T. Normurodov, J. B. Khujaniyozov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.297468