Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Carrier-mediated ferromagnetism in p-Si(100) by sequential ion-implantation of B and Mn

1. Magnetic Properties of Silicon with Paramagnetic Impurity Atoms

   N. F. Zikrillayev, Г. Х. Мавлонов, Levent Trabzon +4

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesEast European Journal of Physics2023Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.002927

2. Ferromagnetic Properties of Silicon Doped Manganese Atoms

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, Levent Trabzon +4

   СтатьяZnO doping and propertiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2025Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.005445