Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Dotierungseigenschaften von Rhodium und Iridium in Silizium

1. On several regularities of deep levels of d-impurities in silicon

   Marat S. Yunusov, A. Akhmadaliev, Б. Л. Оксенгендлер +1

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1995Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.408791

2. Mechanisms for thermal stability of the electrophysical properties of overcompensated n-Si〈B, S〉

   Marat S. Yunusov, M. Kаrimov, P. A. Khalikov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters1999Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.279516