Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Ion Implantation Science and Technology

1. Carrier transport in a diode base with locally nonuniform recombination properties

   А. В. Иванов, N. B. Strokan, V. B. Shuman

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters1997Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1997.article.000150

2. On the generation of radiation defects by accelerated ions in silicon

   А. В. Иванов, N. B. Strokan

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesTechnical Physics Letters1998Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1998.article.000274