Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

9 та иш

Иш: Dependence of the surface generation velocity at silicon-(lead borosilicate) glass interface on conditions of nonequilibrium depletion region formation

  1. Physics of Semiconductor Devices

    J.-P. Colinge, Cindy Colinge

    Китоб200258 иқтибос
    ABI
  2. Physics of Semiconductor Devices

    Geoffrey Pridham

    Мақола197019 иқтибос
    ABI
  3. The Pulsed MIS Capacitor. A Critical Review

    Jaehyeon Kang, D.K. Schroder

    Шарҳ мақола19857 иқтибос
    ABI
  4. Dielectric Breakdown and Device Evaluation of Fritted Glass Compositions

    D. L. Flowers

    Мақола19813 иқтибос
    ABI
  5. Deep Level Transient Spectroscopy

    Chin‐Che Tin

    Бошқа20123 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI