К. А. Исмайлов
23 ta ish
Karakalpak State University
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
М. К. Бахадырханов, B. K. Ismaylov, С. А. Тачилин +2
MaqolaOchiq kirish202012 iqtibosABIPhysical mechanism of gettering of impurity Ni atom clusters in Si lattice
B. K. Ismaylov, N. F. Zikrillayev, К. А. Исмайлов +1
MaqolaOchiq kirish20244 iqtibosABIФИЗИЧЕСКИЕ МЕХАНИЗМЫ ДЕГРАДАЦИИ И НАДЁЖНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
М.А. Жалелов, К. А. Исмайлов, Г.Р. Абдиреймова +1
MaqolaOchiq kirish20160 iqtibosABIIncreasing the Efficiency of Silicon Solar Elements by Doping with Nickel
Zoir Kenjayev, N. F. Zikrillayev, K. S. Ayupov +3
MaqolaOchiq kirish20230 iqtibosABIEffect of inter-impurity interaction on concentration of electroactive manganese impurity atoms in silicon
N. F. Zikrillayev, К. А. Исмайлов, С. Б. Исамов +4
MaqolaOchiq kirish20260 iqtibosABI