← Назад к работе
Работы, цитирующие эту работу
Работ: 7
Работа: Some features of chemical interaction between a fast diffusing impurity and a group VI element in silicon
Elaboration of physical fundamentals of nanosized structures on the basis of S++Mn−− and Se++Mn−− molecule formation in silicon lattice
М. К. Бахадырханов, U. X. Sodikov, Н. Ф. Зикриллаев +1
СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSurface Engineering and Applied Electrochemistry2007Цитирований: 1ABI