Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Influence of Ge content on formation of radiation defects in Si1−xGex solid solutions

1. Laterally-Graded SiGe Crystals for High Resolution Synchrotron Optics

   A. Erko, N. V. Abrosimov, V. Alex

   Статья2002Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609957

2. Bulk Si1−xGex single- and poly-crystals: a new prospective material for electronics

   I. G. Atabaev

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesComputational Materials Science2001Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2001.article.000189

3. Implementation of Low Thermal Budget Techniques to Si and SiGe MOSFET Device Processing

   Michael Glück, J. Hersener, H.G. Umbach +2

   Статья1997Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609962

4. Radiation Defects Formation in Si<Ge>

   Lyudmila I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, Mikhail G. Sosnin +3

   Статья1999Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.609963

5. Preparation and Thermoelectric Properties of Polycrystalline Si0.4Ge0.6

   I. G. Atabaev, N. A. Matchanov, É. N. Bakhranov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesInorganic Materials2005Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000180

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669481

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.669482