Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 6

Работа: Photoelectric properties of an injection photodetector based on alloys of II–VI compounds

1. Double-injection currents in semiconductors

   É. I. Adirovich, P. M. Karageorgii-Alkalaev, A. Iu. Leiderman

   Статья1978Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.378332

2. Injection-based photodetectors

   І. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, V. I. Stafeev

   Статья2008Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.200871

3. Influence of the back contact on the electrophysical and functional characteristics of thin-film CdTe Schottky barrier detector structures

   Ш. А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, B. N. Zaveryukhin +1

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Physics Journal2012Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.393704

4. Photodetectors with a controllable photosensitivity spectrum

   Ш. А. Мирсагатов, B. U. Aĭtbaev, V. M. Rubinov

   Статья1996Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.357509

5. Study of the intermediate layer at the n +-CdS/p-CdTe interface

   S. A. Muzafarova, B. U. Aĭtbaev, Ш. А. Мирсагатов +2

   СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2008Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.393701

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.404927