Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 8

Работа: On the Method of Calculation of the Photocurrent in Structures with Periodically Positioned Nanoinclusions

1. Photosensitivity of pSi-n(Si2)1–x–y(Ge2) x (ZnSe) y heterostructures with quantum dots

   А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2017Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.392482

2. Specific features of the epitaxial growth of narrow-gap InSb quantum dots on an InAs substrate

   K. D. Moiseev, Ya. A. Parkhomenko, Е. В. Гущина +4

   Статья2009Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.504676

3. AlGaAs/GaAs photovoltaic cells with an array of InGaAs QDs

   S. A. Blokhin, A. V. Sakharov, A. M. Nadtochy +9

   Статья2009Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539150

4. High-density InSb-based quantum dots emitting in the mid-infrared

   Vittorianna Tasco, N. Deguffroy, А. Н. Баранов +5

   Статья2006Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539151

5. MOVPE grown self-assembled and self-ordered InSb quantum dots in a GaSb matrix assessed by AFM, CTEM, HRTEM and PL

   P. Möck, G. R. Booker, N. J. Mason +4

   Статья2001Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539153

6. Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy

   Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev

   Статья2016Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539157

7. 100-period, 1.23-eV bandgap InGaAs/GaAsP quantum wells for high-efficiency GaAs solar cells: toward current-matched Ge-based tandem cells

   Hiromasa Fujii, Kasidit Toprasertpong, Yunpeng Wang +3

   Статья2013Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539154

8. GaAs quantum well‐dots solar cells with spectral response extended to 1100 nm

   S. А. Mintairov, N. А. Kalyuzhnyy, M. V. Maximov +3

   Статья2015Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.539155