Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 10

Работа: Investigation on the Electronic Structure of Nanosized Barium Monosilicide Films Produced by Low-energy Implantation of Ba<sup>+</sup> Ions in Si

  1. Formation of nanosize silicides films on the Si(111) and Si(100) surfaces by low-energy ion implantation

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, A.M. Rakhimov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 15
    ABI

  2. Method for additional purification of the surface of Si(111) single crystal

    A. S. Risbaev, J. B. Khujaniyazov, I. R. Bekpulatov +1

    СтатьяMaterial Properties and Failure MechanismsJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2017Цитирований: 12
    ABI

  3. Peculiarities of the electron structure of nanosized ion-implanted layers in silicon

    А.С. Рысбаев, Zh. B. Khuzhaniyazov, M.T. Normuradov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2014Цитирований: 9
    ABI

  4. Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques

    Другое2013Цитирований: 4
    ABI

  5. On new two-dimensional structures produced on the Si (111) and Si (100) surface upon molecular-beam epitaxy of cobalt and silicon

    А.С. Рысбаев, A. K. Tashatov, Sh. X. Dzhuraev +3

    СтатьяSurface and Thin Film PhenomenaJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2011Цитирований: 3
    ABI

  6. Theoretical Explanation of the Effect of a Decrease in the Si(111) Plasmon Energy during the Implantation of Ions with a Large Dose

    А.С. Рысбаев, J. B. Khujaniyozov, M.T. Normuradov +3

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2020Цитирований: 3
    ABI

  7. Thin silicide films: producing and properties

    А.С. Рысбаев, S. S. Nasriddinov, Yu. Yu. Yuldashev +4

    СтатьяSemiconductor materials and interfaces2004Цитирований: 2
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI