Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Features of growing Si- and Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>-single-crystal films from solution-melt based on tin

  1. Photothermovoltaic Effect in p-Si−n-(Si2)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Structure

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov +2

    СтатьяPhase-change materials and chalcogenidesApplied Solar Energy2019Цитирований: 8
    ABI

  2. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys

    Elham Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert +17

    Статья2020Цитирований: 6
    ABI

  3. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1 – xGex–GaAs Structures

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports2022Цитирований: 5
    ABI

  4. Impact of SiGe layer thickness in starting substrates on strained Ge-on-insulator pMOSFETs fabricated by Ge condensation method

    Kwang-Won Jo, Wu-Kang Kim, Mitsuru Takenaka +1

    Статья2019Цитирований: 4
    ABI

  5. Influence of GaAs molecules on the photosensitivity of pSi–n(GaSb)1–x (Si2) x and nGaAs–p(InSb)1–x (Sn2) x heterostructures

    Sh. N. Usmonov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2016Цитирований: 2
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI