Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Effect of Compensation Degree and Concentration of Impurity Electroactive Selenium Atoms on Current Auto-Oscillation Parameters in Silicon

1. Silicon with Binary GexSi1 – x Compounds

   Н. Ф. Зикриллаев, K. S. Ayupov, N. Narkulov +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.002219

2. Photovoltaic Cells Based on Silicon with Binary Compounds GexSi1–x

   Н. Ф. Зикриллаев, Kh. F. Zikrillaev, F. E. Urakova +4

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2025Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.005819