Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Effect of ${\text{O}}_{2}^{ + }$ Ion Implantation on the Elemental and Chemical Composition of the Si(111) Surface

  1. Obtaining of epitaxial films of metal silicides by ion implantation and molecular beam epitaxy

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, E.U. Boltaev +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesMaterials Science and Engineering B2003Цитирований: 14
    ABI

  2. An ion track based approach to nano- and micro-electronics

    K. Hoppe, W. R. Fahrner, D. Fink +7

    Статья2008Цитирований: 9
    ABI

  3. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime

    Shinji Takeoka, Minoru Fujii, Shinji Hayashi

    Статья2000Цитирований: 7
    ABI

  4. Effect of the Ba+ Ion Implantation on the Composition and Electronic Properties of MoO3/Mo(111) Films

    Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, Soadat Gulyamova +1

    СтатьяTransition Metal Oxide NanomaterialsTechnical Physics2020Цитирований: 6
    ABI

  5. Photoluminescence of porous silicon saturated with tungsten-tellurite glass with rare-earth metal impurities

    Е. С. Демидов, Alexey Mikhaylov, A. I. Belov +7

    Статья2011Цитирований: 5
    ABI

  6. Silicon nanoclusters ncl-Si in a hydrogenated amorphous silicon suboxide matrix a-SiO x :H (0 < x < 2)

    Yu. K. Undalov, Е. И. Теруков

    Статья2015Цитирований: 5
    ABI

  7. Crystal Structure and Band Gap of Nanoscale Phases of Si Formed at Various Depths of the Near-Surface Region of SiO2

    Д. А. Ташмухамедова, M. B. Yusupjanova, G. Kh. Allayarova +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceTechnical Physics Letters2020Цитирований: 4
    ABI

  8. Modification of SiO through room-temperature plasma treatments, rapid thermal annealings, and laser irradiation in a nonoxidizing atmosphere

    F. Rochet, G. Dufour, H. Roulet +5

    Статья1988Цитирований: 4
    ABI

  9. Effect of oxidation on charge localization and transport in a single layer of silicon nanocrystals

    R. Krishnan, Qiwei Xie, J. Kulik +6

    Статья2004Цитирований: 4
    ABI

  10. Regularities of the Formation of SiO2 Nanophases and Nanofilms on a Si Surface during $${\text{O}}_{2}^{ + }$$-Ion Implantation

    G. Kh. Allayarova

    СтатьяIon-surface interactions and analysisJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2022Цитирований: 2
    ABI

  11. Tunnel oxide passivated contacts formed by ion implantation for applications in silicon solar cells

    Christian Reichel, Frank Feldmann, Ralph Müller +6

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  12. ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ НАНОСТРУКТУР СdMeTe, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ СdTe МЕТОДОМ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ

    Б.Е. Умирзаков, Ё.С. Эргашов, Ш.Ф. Худойберганова +1

    Статья2019Цитирований: 2
    ABI

  13. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты

    Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, К.Ф. Штельмах +1

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI