Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Selecting a target for obtaining films of higher manganese silicide using magnetron sputtering

  1. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

    T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 21
    ABI

  2. Obtaining higher manganese silicide films with high thermoelectric properties

    I. R. Bekpulatov, D.S. Shomukhammedova, Д. М. Шукурова +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesE3S Web of Conferences2023Цитирований: 9
    ABI

  3. Composites of Higher Manganese Silicides and Nanostructured Secondary Phases and Their Thermoelectric Properties

    Aijun Zhou, Xingang Zhao, Tiejun Zhu +4

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  4. Synthesis of Thermoelectric Manganese Silicide by Mechanical Alloying and Pulse Discharge Sintering

    Takashi Itoh, Masataka Yamada

    Статья2009Цитирований: 2
    ABI

  5. Thermoelectric Properties of Cold-Pressed Higher Manganese Silicides for Waste Heat Recovery

    Xi Chen, Annie Weathers, Arden L. Moore +2

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI

  6. Directional thermoelectric properties of Ru2Si3

    B.A. Simkin, Yoshinori Hayashi, H. Inui

    Статья2005Цитирований: 2
    ABI

  7. Surfactant mediated growth of MnSi1.7 layers on (001)Si

    Anna Mogilatenko, M. Falke, S. Teichert +3

    Статья2002Цитирований: 2
    ABI

  8. Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии

    Anton S. Orekhov, Т.С. Камилов, Б.В. Ибрагимова +2

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI