Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 16

Работа: The Influence of γ-Irradiation on the Electrophysical Parameters of Nickel-Doped Silicon Grown by the Czochralski Method

  1. Radiation Stability of Nickel Doped Solar Cells

    К. А. Исмайлов, Z. T. Kenzhaev, S. Koveshnikov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesPhysics of the Solid State2022Цитирований: 9
    ABI

  2. Clusters of nickel atoms and controlling their state in silicon lattice

    М. К. Бахадырханов

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics2018Цитирований: 9
    ABI

  3. Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon

    М. К. Бахадырханов, B. K. Ismaylov, С. А. Тачилин +2

    Статья2020Цитирований: 9
    ABI

  4. Nickel solubility in intrinsic and doped silicon

    A. A. Istratov, P. Zhang, R. J. McDonald +6

    Статья2004Цитирований: 5
    ABI

  5. Interaction of radiation defects with nickel atom clusters in silicon

    Х. М. Илиев, Z.M. Saparniyazova, К. А. Исмайлов +2

    СтатьяGraphite, nuclear technology, radiation studiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2011Цитирований: 5
    ABI

  6. Effect of nickel on the lifetime of charge carriers in silicon solar cells

    Bakhadyrkhanov M.K., Kenzhaev Z.T., S. Koveshnikov +2

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesФизика и техника полупроводников2022Цитирований: 5
    ABI

  7. Transition metals in silicon

    Eicke R. Weber

    Статья1983Цитирований: 4
    ABI

  8. Energy levels of vacancies and interstitial atoms in the band gap of silicon

    V. V. Lukjanitsa

    Статья2003Цитирований: 4
    ABI

  9. Thermal stability of electrical parameters of silicon crystal doped with nickel during growth

    M.K. Bakhadyrkhanov, Kanatbay A. Ismailov, E.Zh. Kosbergenov

    Статья2022Цитирований: 3
    ABI

  10. The Elemental Composition Investigation of Silicon Doped with Gallium and Antimony Atoms

    Х. М. Илиев, S. Koveshnikov, B. O. Isakov +3

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 2
    ABI

  11. Ti, Fe, and Ni in Si and their interactions with the vacancy and the<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mi>A</mml:mi></mml:math>center: A theoretical study

    D. J. Backlund, S. K. Estreicher

    Статья2010Цитирований: 2
    ABI

  12. On the problem of Watkins substitution and migration of silicon atoms in silicon

    N. I. Berezhnov, A. R. Chelyadinskiĭ, M. Jadan +1

    Статья1993Цитирований: 2
    ABI

  13. The Effect of Gamma Irradiation on the Electrophysical Parameters of Nickel-Doped Silicon Solar Cells

    Z. T. Kenzhaev, Х. М. Илиев, В. Б. Оджаев +6

    СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2024Цитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI