Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 17

Работа: Features of Growing a Solid Solution Si1−xGex (0 < x < 1) from a Liquid Phase

  1. Effect of injection depletion in p-n heterostructures based on solid solutions (Si2)1 − x − y (Ge2) x (GaAs) y , (Si2)1 − x (CdS) x , (InSb)1 − x (Sn2) x , and CdTe1 − x S x

    Sh. N. Usmonov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman

    СтатьяNear-Field Optical MicroscopyPhysics of the Solid State2014Цитирований: 7
    ABI

  2. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys

    Elham Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert +17

    Статья2020Цитирований: 6
    ABI

  3. Si‐Ge‐Metal Ternary Phase Diagram Calculations

    Jean‐Pierre Fleurial, A. Borshchevsky

    Статья1990Цитирований: 4
    ABI

  4. SiGe films and graded buffers grown by liquid phase epitaxy from different growth solution compositions

    Jun Wang, Nathaniel J. Quitoriano

    Статья2019Цитирований: 3
    ABI

  5. Thermal stress analysis of crystal growth in a horizontal Bridgman furnace

    Gregory Young, Karen A. McDonald, Ahmet Palazoğlu

    Статья1997Цитирований: 3
    ABI

  6. Obtaining Si-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub>-Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>-(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)<sub>1-z</sub>(Al<sub>1-y</sub>Ga<sub>y</sub>As)<sub>z</sub> Structures from a Tin Solution-Melt in a Single Technological Cycle

    А. С. Саидов, A. Sh. Razzokov, С.И. Петрушенко +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesActa Physica Polonica A2022Цитирований: 2
    ABI

  7. Deviation of the AlGaAs lattice constant from Vegard's law

    Daibing Zhou, B. F. Usher

    Статья2001Цитирований: 2
    ABI

  8. Energetic and kinetic aspects of the growth of pseudomorphic SiGe islands

    Michael Becker, Silke Christiansen, M. Albrecht +2

    Статья2008Цитирований: 2
    ABI

  9. Growth evolution of SiGe graded buffers during LPE cooling process

    Jun Wang, Yu-Jack Shen, Nathaniel J. Quitoriano

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI

  10. Liquid phase epitaxy SiGe films on a CVD-grown SiGe/Si (0 0 1) graded film

    Jun Wang, Christopher Heidelberger, Eugene A. Fitzgerald +1

    Статья2020Цитирований: 2
    ABI

  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI