Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 27

Работа: The Influence of γ-Irradiation on the Current Transport Mechanism upon the Application of Reverse Bias to the Al/p-CdTe/Mo Structure

  1. Injection photodiode based on an n-CdS/p-CdTe heterostructure

    Ш. А. Мирсагатов, R. R. Kabulov, M. A. Makhmudov

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2013Цитирований: 19
    ABI

  2. Mechanism of current transport in Schottky barrier diodes based on coarse-grained CdTe films

    Ш. А. Мирсагатов, A.K. Uteniyazov, А.С. Ачилов

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysics of the Solid State2012Цитирований: 16
    ABI

  3. CdTe-based thin film photovoltaics: Recent advances, current challenges and future prospects

    Michael A. Scarpulla, Brian E. McCandless, Adam B. Phillips +22

    Статья2023Цитирований: 9
    ABI

  4. Study of the current-voltage characteristic of the n-CdS/p-CdTe heterostructure depending on temperature

    Sh. N. Usmonov, Ш. А. Мирсагатов, A. Yu. Leyderman

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2010Цитирований: 8
    ABI

  5. On the theory of sublinear current-voltage characteristics of semiconductor structures

    A. Yu. Leĭderman, P. M. Karageorgy‐Alkalaev

    Статья1978Цитирований: 8
    ABI

  6. Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge<sub>2</sub>)y(ZnSe)z and their photoelectric properties

    А. С. Саидов, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +2

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsInternational Journal of Modern Physics B2022Цитирований: 6
    ABI

  7. Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I–V characteristics of the <i>n</i>-CdS/<i>i</i>-CdS<sub><i>x</i></sub>Te1−x/<i>p</i>-CdTe heterostructure

    А.С. Ачилов, R. R. Kabulov, Sharifa B. Utamuradova +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsModern Physics Letters B2023Цитирований: 4
    ABI

  8. Influence of the back contact on the electrophysical and functional characteristics of thin-film CdTe Schottky barrier detector structures

    Ш. А. Мирсагатов, А.С. Ачилов, B. N. Zaveryukhin +1

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRussian Physics Journal2012Цитирований: 4
    ABI

  9. Photoelectric properties of an injection photodetector based on alloys of II–VI compounds

    Ш. А. Мирсагатов, O. K. Ataboev, B. N. Zaveryukhin +1

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSemiconductors2014Цитирований: 3
    ABI

  10. Effect of irradiation with gamma-ray photons on the charge-transport mechanism in n-CdS/p-CdTe heterostructures

    S. A. Muzafarova, Ш. А. Мирсагатов, F. N. Dzhamalov

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsSemiconductors2009Цитирований: 3
    ABI

  11. Equivalent circuit model of Ge/Si separate absorption charge multiplication avalanche photodiode

    Wei Wang, Ting Chen, Linshu Yan +6

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI

  12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI