Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: High-resistance layers in <i>n</i>-type 4H-silicon carbide by hydrogen ion implantation

1. Doping of <i>n</i>-type 6H–SiC and 4H–SiC with defects created with a proton beam

   A. А. Lebedev, A. I. Veı̆nger, D. V. Davydov +3

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesJournal of Applied Physics2000Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2000.article.000005

2. Radiation Hardness of Silicon Carbide

   A. А. Lebedev, Vitalii V. Kozlovski, N. B. Strokan +4

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2003Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000098