Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Oxygen-containing radiation defects in Si1−xGex

1. SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, С. Б. Исамов +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2022Цитирований: 8

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2022.article.000429

2. The effect of silicon-germanium microheterojunctions on the parameters of silicon solar cells

   Б. А. Абдурахманов, Х. М. Илиев, С. А. Тачилин +2

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2010Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.144432