Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: On the Formation of Silicide Films of Metals (Li, Cs, Rb, and Ba) During Ion Implantation in Si and Subsequent Thermal Annealing

1. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si❬Mn❭–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si❬Mn❭–M Heterostructures

   T. S. Kamilov, А.С. Рысбаев, V. V. Klechkovskaya +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 21

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.079743

2. Electron microscopy characterization of higher manganese silicide film structure on silicon

   Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, Anton S. Orekhov +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesNanotechnologies in Russia2016Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.079735

3. Electronic properties of semiconducting silicides: fundamentals and recent predictions

   L. Ivanenko, В. Л. Шапошников, А. Б. Филонов +6

   Статья2004Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199255

4. Precipitates of MnSi cubic phase in tetragonal Mn4Si7 crystal

   Elena I. Suvorova, V. V. Klechkovskaya

   Статья2013Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527235

5. Physicochemical interaction at the MnSi1.71–1.75/Mo interface

   Л. И. Петрова, M. I. Fedorov, V. K. Zaĭtsev +1

   Статья2013Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.527237

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.553964

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.553963