Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 14

Работа: Codiffusion of Gallium and Phosphorus Atoms in Silicon

Silicon with binary elementary cells as a novel class of materials for future photoenergetics
М. К. Бахадырханов, A. Sh. Mavlyanov, U. Kh. Sodikov +1
СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2015Цитирований: 13
ABI
Silicon with Magnetic Nanoclusters of Manganese Atoms as a New Ferromagnetic Material
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов +3
СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2019Цитирований: 10
ABI
Без названия
ДругоеЦитирований: 9
ABI
Formation of Heterostructures of GaP/Si Photoconverters by the Combined Method of MOVPE and PEALD
A V Uvarov, A I Baranov, Ekaterina Vyacheslavova +7
Статья2021Цитирований: 3
ABI
Minority-charge-carrier mobility at low injection level in semiconductors
L. I. Pomortseva
Статья2011Цитирований: 2
ABI
Diffusion of phosphorus in arsenic and boron doped silicon
Fred Wittel, Scott T. Dunham
Статья1995Цитирований: 2
ABI
Redistribution of phosphorus implanted into silicon doped heavily with boron
E. G. Tishkovskiǐ, V.I. Obodnikov, A. A. Taskin +2
Статья2000Цитирований: 2
ABI
A model of high-and low-temperature phosphorus diffusion in silicon by a dual pair mechanism
О. В. Александров
Статья2001Цитирований: 2
ABI
Diffusion of boron and phosphorus in silicon during high-temperature ion implantation
G. V. Gadiyak
Статья1997Цитирований: 2
ABI
Direct growth of single-crystalline III–V semiconductors on amorphous substrates
Kevin Chen, Rehan Kapadia, Audrey Harker +19
Статья2016Цитирований: 2
ABI
Без названия
ДругоеЦитирований: 1
ABI
Без названия
ДругоеЦитирований: 1
ABI
Drift mobility of carriers in porous silicon
N. S. Averkiev, L. P. Kazakova, É. A. Lebedev +1
СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSemiconductors2001Цитирований: 1
ABI
Без названия
ДругоеЦитирований: 1
ABI