Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Defects in neutron irradiated SiC

1. Radiation Hardness of Silicon Carbide

   A. А. Lebedev, Vitalii V. Kozlovski, N. B. Strokan +4

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2003Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2003.article.000098

2. Electrical Study of Fast Neutron Irradiated Devices Based on 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

   Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov, Anatoly M. Strel’chuk +4

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2004Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2004.article.000109