Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

17 та иш

Иш: SPECTRAL DEPENDENCE OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GеxSi1 – x TYPE GRADED-GAP STRUCTURES OBTAINED BY DIFFUSION TECHNOLOGY

  1. Silicon-germanium—a promise into the future?

    H. G. Grimmeiss

    Мақола19993 иқтибос
    ABI
  2. The Diffusion Coefficient of Germanium in Silicon

    M. Ogino, Yasuhisa Oana, M. Watanabe

    Мақола19823 иқтибос
    ABI
  3. Oxygen-containing radiation defects in Si1−xGex

    Yu.V. Pomozov, Mikhail G. Sosnin, Lyudmila I. Khirunenko +4

    Мақола20002 иқтибос
    ABI
  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI