Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseскороОткрытый API экосистемы
Латиница
Русский
Статья

The investigation of charge carriers life time dependence on degree of silicon doping with admixtures creating the deep levels

Sh. MakhkamovN.A. TursunovM. AshurovAN RU, Tashkent (Uzbekistan). Inst. Yadernoj Fiziki
1995en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Темы

Цитирования и источники

Цитирований: 0Использованных источников: 0
Показатели — AkademScholar · Скоро