← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 15
Работа: The Influence of a Single Charged Interface Trap on the Subthreshold Drain Current in FinFETs with Different Fin Shapes
Quantum corrections in the simulation of decanano MOSFETs
Asen Asenov, A. R. Brown, J.R. Watling
Статья2003Цитирований: 4ABIRTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices
Louis Gerrer, Salvatore Amoroso, Razaidi Hussin +1
Статья2014Цитирований: 3ABI