Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 15

Работа: The Influence of a Single Charged Interface Trap on the Subthreshold Drain Current in FinFETs with Different Fin Shapes

  1. Quantum corrections in the simulation of decanano MOSFETs

    Asen Asenov, A. R. Brown, J.R. Watling

    Статья2003Цитирований: 4
    ABI
  2. RTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices

    Louis Gerrer, Salvatore Amoroso, Razaidi Hussin +1

    Статья2014Цитирований: 3
    ABI
  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 3
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 2
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI