Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Structure, Morphology and Photoelectric Properties of n-GaAs--p-(GaAs)1--x(Ge2)х Heterostructure

  1. X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals

    I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3

    Статья2010Цитирований: 9
    ABI

  2. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films

    S.Z. Zaynabidinov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman +4

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2016Цитирований: 5
    ABI

  3. Photosensitivity of pSi-n(Si2)1–x–y(Ge2) x (ZnSe) y heterostructures with quantum dots

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2017Цитирований: 4
    ABI

  4. Sizes of X-ray radiation coherent domains in thin SmS films and their visualization

    Н. В. Шаренкова, В. В. Каминский, С. Н. Петров

    Статья2011Цитирований: 4
    ABI

  5. Specific features of the epitaxial growth of narrow-gap InSb quantum dots on an InAs substrate

    K. D. Moiseev, Ya. A. Parkhomenko, Е. В. Гущина +4

    Статья2009Цитирований: 4
    ABI

  6. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermophotovoltaic effect

    М. С. Саидов

    СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsApplied Solar Energy2007Цитирований: 2
    ABI

  7. Formation mechanisms of nano and microcones by laser radiation on surfaces of Si, Ge, and SiGe crystals

    Artur Medvid, Pāvels Onufrijevs, Renata Jarimaviciute-Gudaitiene +2

    Статья2013Цитирований: 2
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI