Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 13

Работа: Mechanisms of Current Transition in High Compensated Silicon Samples with Zinc Nanoclusters

1. Transport properties of silicon doped with manganese via low-temperature diffusion

   М. К. Бахадырханов, Г. Х. Мавлонов, С. Б. Исамов +4

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesInorganic Materials2011Цитирований: 24

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.229086

2. Infrared quenching of photoconduction in silicon with multicharge manganese clusters

   M. K. Bachadyrchanov, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceSurface Engineering and Applied Electrochemistry2013Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000110

3. Spectra of the energy levels of multicharged nanoclusters of manganese atoms in silicon

   М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов

   СтатьяLaser-Ablation Synthesis of NanoparticlesSurface Engineering and Applied Electrochemistry2011Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.345486

4. The electrical properties of zinc in silicon

   Sharon M. Weiss, R. Beckmann, Rainer Kassing

   Статья1990Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557535

5. Carrier transport mechanisms in semiconductor nanostructures and devices

   M. A. Rafiq

   Статья2018Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557537

6. Current-Transport Mechanisms of the Al/(Bi2S3-PVA Nanocomposite)/p-Si Schottky Diodes in the Temperature Range Between 220 K and 380 K

   Sana Boughdachi, Yosef Badalı, Yashar Azizian‐Kalandaragh +1

   Статья2018Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557538

7. Current Understanding of the Fundamental Mechanisms of Doped and Loaded Semiconducting Metal-Oxide-Based Gas Sensing Materials

   David Degler, Udo Weimar, Nicolae Bârsan

   Обзорная статья2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557539

8. Oncurrent-voltage and capacitance-voltage characteristics of metal-semiconductor contacts

   A. Türüt

   Статья2020Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557540

9. Tunneling via surface dislocation in W/β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes

   Madani Labed, Ji Young Min, Amina Ben Slim +4

   Статья2023Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557542

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557533

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557534

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557536

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557541