Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 25

Работа: Impact of source (drain) doping profiles and channel doping level on self-heating effect in FinFET

1. Physics of Semiconductor Devices

   Simon M. Sze, Kwok K. Ng

   Книга2006Цитирований: 33

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.109944

2. Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

   Isabelle Ferain, Cynthia A. Colinge, Jean-Pierre Colinge

   Статья2011Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386765

3. The Effect of the Fin Shape and Thickness of the Buried Oxide on the DIBL Effect in an SOI FinFET

   A.E. Abdikarimov, А. Yusupov, A. É. Atamuratov

   СтатьяSemiconductor materials and devicesTechnical Physics Letters2018Цитирований: 6

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.397915

4. The Self-Heating Effect in Junctionless Fin Field-Effect Transistors Based on Silicon-on-Insulator Structures with Different Channel Shapes

   A. É. Atamuratov, B. O. Jabbarova, M. M. Khalilloev +1

   СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignTechnical Physics Letters2021Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.000827

5. Optimization of vertically stacked nanosheet FET immune to self-heating

   M. Balasubbareddy, K. Sivasankaran, A. É. Atamuratov +1

   СтатьяSemiconductor materials and devicesMicro and Nanostructures2023Цитирований: 5

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.001165

6. Thermal Properties of Ultrathin Hafnium Oxide Gate Dielectric Films

   Matthew A. Panzer, Michael Shandalov, Jeremy Rowlette +4

   Статья2009Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439494

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439491

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439492

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439493

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439495

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439496

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439497

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439498

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439499

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439500

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439501

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439502

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439503

19. Combined Influence of Gate Oxide and Back Oxide Materials on Self-Heating and DIBL Effect in 2D MOS2-Based MOSFETs

    A. É. Atamuratov, Khushnudbek Sh. Saparov, Ahmed Yusupov +1

    Статья2D Materials and ApplicationsApplied Sciences2023Цитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439504

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439505

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439506

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439507

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439508

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439509

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.439510