← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 20
Работа: Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus
Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x<a:math xmlns:a="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" id="M1"> <a:mfenced open="(" close=")" separators="|"> <a:mrow> <a:mn>0</a:mn> <a:mo>≤</a:mo> <a:mi>x</a:mi> <a:mo>≤</a:mo> <a:mn>1</a:mn> </a:mrow> </a:mfenced> </a:math> Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)
A.S. Saidov, D. V. Saparov, Sh. N. Usmonov +5
СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesAdvances in Condensed Matter Physics2021Цитирований: 9ABIGallium Phosphide Window Layer for Silicon Solar Cells
Markus Feifel, Thomas Rachow, Jan Benick +5
Статья2015Цитирований: 2ABIRaman Spectroscopy and Structure of Crystalline Gallium Phosphide Nanowires
Qihua Xiong, Rajeev Gupta, Kofi W. Adu +5
Статья2003Цитирований: 2ABIGallium Phosphide-on-Silicon Dioxide Photonic Devices
K. Schneider, Pol Welter, Yannick Baumgartner +3
Статья2018Цитирований: 2ABIИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ МЕДИ
Ш. Т. Хожиев, А А Ганиев, В. М. Ротштейн +3
Статья2020Цитирований: 2ABIGrowth of GaP Layers on Si Substrates in a Standard MOVPE Reactor for Multijunction Solar Cells
Pablo Caño, Carmen M. Ruiz, Amalia Navarro +3
Статья2021Цитирований: 2ABI