Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 25

Работа: Electron-irradiation effects on Raman and infrared spectra of Te-doped n- and p-type silicon

1. Raman spectroscopy of silicon, doped with platinum and irradiated by protons

   Sharifa B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, А. В. Станчик +1

   СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceE3S Web of Conferences2023Цитирований: 9

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.000670

2. The study of structure, electrophysical, physicomechanical and optical properties of GaAs with oxygen impurities and doped chromium

   M. Yu. Tashmetov, Abror Abdaminov, Khabibulla Djangabaev +2

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesPhysica B Condensed Matter2025Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.000898

3. Influence of high-fluence electron irradiation on the band gap, Raman spectra, and microhardness of ZnSe

   M. Yu. Tashmetov, Bakhtiyar Madaminov

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsPhysica Scripta2025Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.001043

4. Raman Spectroscopy of Gamma-Irradiated Silicon Doped with Rhodium

   Sharifa B. Utamuradova, Shakhrukh Kh. Daliev, Dilmurod A. Rakhmanov +2

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesEast European Journal of Physics2025Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.001212

5. STUDY OF THE INFLUENCE OF PROTON IRRADIATION ON SILICON STRUCTURES USING RAMAN SPECTROSCOPY

   Sharifa B. Utamuradova, Dilmurod A. Rakhmanov

   Статья2022Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.241690

6. Phonons in a one-dimensional microfluidic crystal

   Tsevi Beatus, Tsvi Tlusty, Roy Bar‐Ziv

   Статья2006Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.472263

7. Study of radiation-induced effects in GaAs(O):Cr under 2 Mev electron irradiation using Raman, FTIR and Hall effect measurements

   M. Yu. Tashmetov, Khabibulla Djangabaev

   СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesPhysica Scripta2025Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2025.article.002581

8. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843877

9. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843878

10. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843879

11. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843880

12. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843881

13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843882

14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843883

15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843884

16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843885

17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843886

18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843887

19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843888

20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843889

21. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843890

22. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843891

23. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843892

24. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843893

25. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1

    ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.843894