Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Keimbildung in übersättigten Gebilden

1. Formation and Electronic Structure of Barium-Monosilicide- and Barium-Disilicide Films

   M. T. Normurodov, А.С. Рысбаев, I. R. Bekpulatov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 17

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.000283

2. Electron microscopy characterization of higher manganese silicide film structure on silicon

   Andrey Orekhov, T. S. Kamilov, Anton S. Orekhov +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesNanotechnologies in Russia2016Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.079735