Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: Structural Peculiarities of the (ZnSe)1 – x – y(Ge2)x(GaAs1 – δBiδ)y Solid Solution with Various Nanoinclusions

  1. X-ray diffraction diagnostics methods as applied to highly doped semiconductor single crystals

    I. L. Shul’pina, R. N. Kyutt, В. В. Ратников +3

    Статья2010Цитирований: 9
    ABI

  2. Growth of (GaAs)1 − x (ZnSe) x solid solution films and investigation of their structural and some photoelectric properties

    А. С. Саидов, М. С. Саидов, Sh. N. Usmonov +4

    СтатьяChalcogenide Semiconductor Thin FilmsPhysics of the Solid State2011Цитирований: 8
    ABI

  3. Growth, structure, and properties of GaAs-based (GaAs)1–x–y (Ge2) x (ZnSe) y epitaxial films

    S.Z. Zaynabidinov, А. С. Саидов, A. Yu. Leĭderman +4

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesSemiconductors2016Цитирований: 5
    ABI

  4. Features of the Properties of the Surface of (GaAs)1 – x – у(Ge2)x(ZnSe)y Semiconductor Solid Solution with ZnSe Quantum Dots

    С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, Akramjon Y. Boboev +1

    СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2021Цитирований: 4
    ABI

  5. Photosensitivity of pSi-n(Si2)1–x–y(Ge2) x (ZnSe) y heterostructures with quantum dots

    А. С. Саидов, Sh. N. Usmonov, K. A. Amonov +2

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2017Цитирований: 4
    ABI

  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  9. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI