Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: The synthesis and photoelectric properties of Si-(Si2)1−x(ZnS)x epitaxial structures

1. Semiconductor voltaics: Problems and prospects

   М. С. Саидов

   СтатьяAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsApplied Solar Energy2012Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.502895

2. Synthesis, Structure and Electro-Physical Properties n-GaAs–p-(GaAs)1 –x–y(Ge2)x(ZnSe)y Heterostructures (Review)

   С. З. Зайнабидинов, А. С. Саидов, M. U. Kalanov +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesApplied Solar Energy2019Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2019.article.000285

3. Possibility of forming continuous solid solutions of silicon and germanium with compounds with defective diamond-like structures

   М. С. Саидов

   СтатьяIon-surface interactions and analysisApplied Solar Energy2008Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.625503