Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

1. Formation of higher manganese silicide films on silicon

   T. S. Kamilov, D.K. Kabilov, I.S. Samiev +3

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2005Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.199248

2. Nonselective polycrystalline radiation detectors based on higher manganese silicides

   T. S. Kamilov, A. Zh. Khusanov, М. К. Бахадырханов +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics Letters2002Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2002.article.000079

3. Selecting a Target for Obtaining Films of Higher Manganese Silicide Using Magnetron Sputtering

   М. S. Lukasov, Н. А. Архарова, Andrey Orekhov +2

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesCrystallography Reports2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.007559